En un estudio publicado este jueves en la revista Nature, científicos de la Academia China de Ciencias y la Universidad de Pekín presentaron un transistor emisor térmico, compuesto por grafeno y germanio, que utiliza un novedoso mecanismo de "emisión estimulada" para generar portadores de carga a altas energías.

Este avance supera las limitaciones de los transistores tradicionales, abriendo nuevas posibilidades para la creación de dispositivos electrónicos más rápidos y eficientes, destacó hoy la cadena estatal CCTV.

Una de las innovaciones clave de este dispositivo es su capacidad para alcanzar una pendiente subumbral de menos de 1 mV/dec, rompiendo el límite de Boltzmann (60 mV/dec) de los transistores convencionales, lo que podría conducir a circuitos integrados más compactos y potentes.

El transistor, compuesto por dos uniones Schottky acopladas de grafeno/germanio, permite una resistencia diferencial negativa con una relación entre la corriente pico y la corriente valle superior a 100 a temperatura ambiente, lo que lo hace especialmente prometedor para aplicaciones en computación de bajo consumo y circuitos multivalorados, y podría ser útil para la creación de osciladores y amplificadores.

Los autores del estudio, liderados por los investigadores Liu Chi, Sun Dongming y Cheng Huiming, esperan que este nuevo tipo de transistor impulse futuras investigaciones en el campo de los dispositivos electrónicos y contribuya al desarrollo de tecnologías más avanzadas.